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Bumping ＆ WLP封装

通过晶圆级封装的Bumping (凸块) 和 RDL (重布线)技术，在晶圆的表面实I/O的重新Layout 及Solder / Copper pillar bump 的引出实现倒装芯片的凸块加工，进一步实现先进细间距(Fine-pitch) Flipchip封装；以及通过向芯片内或外的扇入/扇出(Fan-in/Fan-out) 技术实现WLP(Wafer level PKG，晶圆级封装)技术，并藉由双面Fan-out 及 TSV 硅穿孔技术实现2D/2.5D/3D 的先进晶圆级封装技术。

BGA 封装

球栅阵列封装(Ball Grid Array,简称BGA)：在封装体内部采用正装芯片(Die bond/Wire bond) 焊线或先进的正装芯片+倒装芯片的混合封装(Hybrid BGA）技术实现芯片和基板的互联，以及在封装体基板的背面制作阵列焊锡球作为芯片的I/O端与印刷线路板（PCB）互接。

QFN/QFP 引线框封装

QFN封装(方形扁平无引脚封装)及QFP封装(方型扁平式封装)：基于铜框架(Copper Lead Frame) 的QFN和QFP封装，封装体中央区域采用大面积裸露焊盘用来导热，大焊盘四周的封装外围有实现电气连结的导电焊盘。

倒装芯片(Flipchip)

FCCSP/FCBGA (Flipchip CSP/BGA)封装：先进高密度倒装芯片级封装，采用Cu pillar 或Solder bump 通过将芯片翻转与基板连接，采用散热盖(Heat sink)等高散热解决方案，从而提供更好的电性能，更好的散热性，及好的焊点可靠性。

SiP系统级封装

SiP(System in a Package，系统级封装)：由常规的Single chip 加 被动元器件，发展到将Multi chip多功能芯片加被动元器件，涵盖包括正装芯片(Die bond/Wire bond) 及 倒装芯片(Flipchip)混合封装技术，以及诸如MEMS或者光学Sensor器件及等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的标准封装件，形成一个系统或者子系统。